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    本發明係關於一種具有光透射保護層之裝置及含有該光透射保護層之相關方法。在一態樣中，例如，一種具有光透射保護層之裝置可包括一基材，其對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線具有大於或等於約85%的透射度，以及一光透射保護層塗佈於基材上。該保護層包括至少50重量百分比的AlN，且對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線具有大於或等於約80%的透射度。
    公开号:TW201320065A
    申请号:TW101142008
    申请日:2012-11-12
    公开日:2013-05-16
    发明作者:Chien-Min Sung
    申请人:Ritedia Corp；
    IPC主号:G11B7-00
    专利说明:
    光透射氮化鋁保護層及相關裝置及方法
    本發明係主張於2012年11月15日所提出之美國專利申請第61/560,049號之優先權，且其所揭示之內容均併入本發明以供參考。
    本發明係關於一種光透射保護層，尤指一種具有此光透射保護層之裝置及相關方法。
    各種光透射的表面，其相關裝置之使用壽命會出現效率降低。例如，DVD，CD，觸控螢幕，眼鏡，及類似物，經由正常使用後都會產生刮痕，因此，在某些情況下，由於磨損和撕裂，將會出現性能降低，甚至完全破壞。許多材料已被用於在試圖提供用於此類裝置的保護層。在許多情況下，此材料實際上會減少來自裝置的光透射度，並因此侷限其用途。在其它情況下，保護材料比位在下方的被保護表面更柔軟，其不過是將刮痕問題移轉至另一個不同的材料。
    本發明係提供具有光透射保護層之裝置及含有此層之相關方法。在一態樣中，例如，一種具有光透射保護層之裝置可包括一基材，其對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線可具有大於或等於約85%的透射度，以及一光透射保護層塗佈於此基材上。此保護層包括至少50重量百分比的AlN，且對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線具有大於或等於約80%的透射度。在另一態樣中，此保護層包括至少75重量百分比的AlN。又另一態樣中，此保護層對於具有至少一波長由約400奈米至約500奈米之光線具有大於或等於約80%的透射度。
    此外，在一些態樣中，該保護層可以藉由任何能夠硬化一含有AlN作為主要成份之層的技術而硬化。在一態樣中，例如，此保護層可藉由摻雜一硼摻雜物而硬化。所需的硼含量可依據保護層所需的性質而變化。然而，在一態樣中，摻雜於此保護層之硼摻雜物具有一由約5原子百分比至約15原子百分比之濃度。
    另外，此保護層可被形成為一導電層。在一態樣中，例如，此保護層具有一由約1.0×10-4至約3.0×10-4歐姆-厘米的電阻率。增加保護層導電率之各種技術都可被利用，其中任何一種方式都屬於本案之範圍內。在一態樣中，例如，保護層利用一摻雜物而摻雜，此摻雜物係選自由一鎵、銦、或其組合所組成之群組。在一具體態樣中，摻雜於保護層之摻雜物，其總摻雜濃度為由約25原子百分比至約90原子百分比。
    此光透射保護層可應用於各種基材，未侷限於所舉例之合適基材，包括，玻璃材料、高分子材料、藍寶石材料、石英材料，立方氧化鋯材料、及其組合。在一具體態樣中，基材為一種高分子材料。在另一具體態樣中，此高分子材料為聚碳酸酯。
    在一具體態樣中，此裝置可為一種光儲存介質裝置。任何的儲存介質裝置都可利用本發明之保護層塗佈，然而在一態樣中，光儲存介質裝置為儲存由4GB數據至10GB數據的容量。在另一態樣中，儲存介質裝置可為儲存大於10GB數據的容量。在另一態樣中，該裝置為一觸控螢幕。
    本發明另外提供一保護裝置之光透射基材之方法。在另一態樣中，例如，此裝置可包括設置一光透射保護層於一基材上，此保護層包括至少50重量百分比的AlN，且對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線具有大於或等於約80%的透射度，且其基材對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線具有大於或等於約85%的透射度。在一態樣中，此方法可包括藉由PVD沉積法而設置此保護層。在另一態樣中，此方法可包括藉由網版印刷方式將一保護層前驅物塗佈於此基材上，並加熱此保護層前驅物以形成此保護層。
    以上係廣泛地概述本發明各種特徵，而以下係更詳述描述使更能了解本發明，而更可理解本發明技術之優越處。本發明之其他特徵將於以下伴隨著圖式及申請專利範圍更詳細描述，或可透過具體實施而得知本發明。
    在揭露及敘述本發明前，應了解本發明不限於在此所揭示之該特定結構、方法步驟、或材料，而可擴大延伸至其相等物，如該些具有通常相關習知技術者可推之。並且，應了解在此所用之術語僅用於描述特定實施例，而非侷限本發明。
    須注意的是，本發明之說明書及所附申請專利範圍中，單數形式的「一(a、an)」及「該(the)」包括複數個所指示對象，除非文中另有特別指示。因此，例如關於「該層」，其包括一層或多層；關於「一添加物」，其包括指一種或多種此類的物質；關於「陰極電弧技術」，其包括指一種或多種此類的技術。 定義
    在本發明之描述及申請專利範圍中，使用根據如下文所定義之專門用語。
    在本文中，「氣相沉積(vapor deposited)」意指物質利用氣相沉積技術形成。氣相沉積係指沉積物質藉由氣相方式形成於基材上。氣相沉積法可包括任何類似方法，如化學氣相沉積(CVD)及物理氣相沉積(PVD)，但不侷限於此。各種氣相沉積方法的各種變化都可被相關習知技術者所實施。氣相沉積方法的實施例包括熱絲CVD、射頻CVD、雷射CVD(LCVD)、雷射消熔法(Laser ablation)、敷形鑽石塗佈法(conformal diamond coating method)、金屬-有機CVD(MOCVD)法、濺鍍法、熱蒸鍍PVD、離子化金屬PVD(IMPVD)、電子束PVD(EBPVD)、反應性PVD、原子層沉積(ALD)、及其類似方法。
    在本文中，「實質上(substantially)」一詞意指一動作、特徵、特性、狀態、結構、項目、或結果具有完全的或接近完全的範圍或程度。相較於絕對的完整，其確切可接受之誤差程度可視文中具體情況而定。然而，一般談到接近完成可視為如同絕對及完全得到具有相同的整體結果。「實質上(substantially)」一詞可同樣地應用於一負面含意，其意指一動作、特徵、特性、狀態、結構、項目、或結果為完全的或接近完全的缺乏。舉例而言，一組成物「實質上沒有」顆粒意指該組成物不是完全地缺乏顆粒，就是接近完全地缺乏顆粒，其影響如同完全地缺乏顆粒一樣。換句話說，一「實質上沒有」一成分或元素之組成物，只要不具有重要的影響，實際上可仍包含此項目(指該成分或元素)。
    在本文中，「約(about)」一詞意指提供一數值範圍端點的彈性空間，即一給定值可以「稍微高於」或「稍微低於」此數值端點，此端點的彈性程度可為一般相關習知技術者所理解。此外，所述約(about)包括明確地確切端點，除非文中有另外的陳述。
    在本文中，複數個項目、結構元件、組成元件、及/或材料可為了方便以一般的列舉呈現。然而，這些清單應被解釋為所述清單的每一列舉元件可為單獨且獨特的元件。因此，基於一般呈現而未有相對之其他描述的群組內，此列舉的單獨元件不需要單獨地被解釋為事實上相等於其他相同列舉出的元件。
    在本文中，濃度、總量及其他數值資料可以一範圍形式表達或呈現。應瞭解的是此範圍形式僅為方便及簡化描述，因此應更具彈性的解釋此範圍，其不僅包含明確列舉為範圍界限的數值，且包括所述範圍內包含的所有單獨數值或子範圍，如同各數值和子範圍被明確列舉一樣。舉例而言，一數值範圍為「約1至約5」應解釋為不僅包括大約1至約5的明確列舉的值，更包括在指出的範圍內的單獨值及子範圍。因此，其在該數值範圍內包括如2、3、及4的單獨值及如自1至3、自2至4、及自3至5等的子範圍，以及分別為1、2、3、4及5。此相同的原則適用於一範圍，其僅指出一數值為一最小值或一最大值。此外，不論是範圍之幅度或特性，此解釋應被適用。 本發明
    本發明係提供一種光透射保護層，及含該光透射保護層之裝置，及相關方法。各種光透射的表面，其相關裝置之使用壽命會出現效率降低。效率降低可以是許多因素的結果，不侷限於所列舉的刮痕、汙垢累積、油汙及其它阻光或折射物質，及其類似物。本發明之光透射保護層可對此類表面提供保護，塗佈於其上或完全取代表片。在非侷限本發明之實施例中，受益於此光透射保護層之裝置包括LEDs、觸控螢幕、光儲存介質(包括CD’s和DVD’S)、SAW濾波器、及類似物。
    現今已發現的光透射保護層可以由AlN材料而形成。紅光光子具有約1.8eV的能量，而藍光光子具有約3.5eV。AlN的具有約6eV的能隙，其大於比起紅光至藍光之光線範圍所具有的能量。AlN材料為透明的，因此，其光線在該範圍內。光透明度容許AlN作為一補護塗佈於其它光穿透基材上，如光儲存介質、觸控螢幕、眼鏡、手錶晶體(watch crystals)、及其類似物。在一些態樣中，AlN層可被用作一光透射基材，而不是僅作為塗佈於基材上的一光透射保護層。例如，在一個態樣中，AlN層可作為塗佈於觸控螢幕界面上之薄保護層，在另一態樣中，AlN層可作為觸控螢幕界面本身。
    AlN材料具有耐磨耗及化學惰性，因此可用於保護設備免於磨損、刮痕、及化學破壞。此外，摻雜物可以改變AlN材料的物理性質，以提高對某些應用的各種屬性。例如，AlN可摻雜硼(B)以增加硬度及AlN層在某些情況下的透明度。如此可用於容易刮傷或其它方式磨損之裝置，或用於隨時間而呈現性能衰退之裝置，或用於AlN層提升硬度需要之情況。在另一態樣中，AlN可以被摻雜鎵(Ga)、銦(In)、或類似物等，以改善AlN材料的導電性。導電性AlN層可有利於各種的應用中。此類應用的一個例子，就是用於觸控螢幕作為保護層。
    在本發明之一態樣中，提供一種具有光透射保護層之裝置。此裝置可包括一基材，其對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線具有大於或等於約85%的透射度，以及一光透射保護層塗佈於基材上。該保護層包括至少50重量百分比的AlN，且對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線具有大於或等於約80%的透射度。在另一態樣中，此保護層包括至少75重量百分比的AlN。此外，又另一態樣中，此保護層對於具有至少一波長由約400奈米至約500奈米之光線具有大於或等於約80%的透射度。此外，在某些情況下，保護層具有一約10奈米至約1微米的厚度。在另一態樣中，保護層具一有約50奈米至約1微米的厚度。
    在本發明之一態樣中，光透射保護層可應用於光儲存介質裝置。例如，圖1所示一光透射基材12具有相結合的一記錄層14。一光透射保護層16塗佈於該基材12。在此情況下，光線18由一讀取裝置，如雷射，在通過該保護層16及該基材12後，照射於該記錄層14上。因此，保護層16可對基材提供進一步的保護，以增加光儲存介質的使用壽命，以及減少刮痕及磨損。該保護層可以包括AlN，以及在某些情況下，AlN可以摻雜硼，以增加該層的硬度和耐久性。用於光儲存介質之基材的材料可以多樣化，但通常是一高分子物質，如聚碳酸酯。經由塗佈AlN之基材，所增加的硬度將提高光儲存介質裝置之耐刮痕性。此外，AlN的光透射性質允許雷射光線無條件通過基材而進入該記錄層。對於利用藍光雷射之光儲存介質讀取器，這將是特別有益的，例如藍光光碟，相較於許多其它塗佈材料，AlN對於藍光波長具有特別地透射度。
    依據裝置的型式及所用的讀取系統，光儲存介質裝置之結構可以有所不同。如圖2所示，例如，光透射基材12具有相結合的一記錄層14及一光透射保護層16。如圖1所示，光線18由一讀取裝置，在通過該保護層16及該基材12後，照射於該記錄層14上。一支撐層20耦合至相對於該光透射基材12之記錄層14，此結構上即類似DVD及藍光光碟。
    在已知的任何型式光儲存介質都可以利用本發明之AlN保護層。在非侷限本發明的例子中，此介質包括CDs、DVDs、藍光光碟、覆寫式光學儲存介質、及其類似物。在一態樣中，光儲存介質裝置在單一碟片上為儲存大於10GB數據的容量。無論裝置的型式，光儲存介質可透過塗佈AlN層於雷射或光學讀取源通過之表面而被保護。此外，在一些態樣中，AlN層可以直接塗佈於記錄層，且從而取代許多目前光儲存介質設計的光透射基材。這對於光儲存介質特別的有益，例如藍光光碟，相對於光碟的整體厚度，其光透射基材非常薄。
    在另一態樣中，光透射保護層可用於對觸控螢幕裝置提供進一步的保護。觸控螢幕裝置的各種設計都可作為考慮，及任何此類的設計均被認為在本發明之範疇內。在非侷限本發明之實施例中，觸控螢幕技術包括電阻、電容、表面聲波器(SAW)、紅外線、光學成像、聲音脈衝識別、色散信號技術、及類似技術。因此，不論是何種技術，觸控螢幕可被塗佈光透射保護層，以對裝置提供進一步的保護。由於在AlN材料可被可見光而透射，經由觸控螢幕顯示的圖像容易地透射通過AlN材料而被使用者觀看。如圖3所示，例如，含有AlN材料之一光透射保護層32被設置於一觸控螢幕34上。如果觸控螢幕技術利用的導電性的變化來感應螢幕的觸控，AlN層可以摻雜一摻雜物，如鎵或銦，以增加該層的導電性，從而使手指觸摸可以透過AlN層而被標示。例如，一觸控螢幕依據銦錫氧化物(ITO)電極網格在垂直方向上運作之電容變化而設計。垂直的ITO電極彼此絕緣，因此能夠檢測手指觸控時的電容變化。一種導電性AlN層，因而可以塗佈於此類的觸控螢幕以對裝置提供保護。AlN層可進一步摻雜硼，來增加該層的硬度，進而提高裝置的耐久性。
    在另一態樣中，AlN層可被用於與一SAW型觸控螢幕結合。由於AlN材料至少部分的六方晶系的纖鋅礦型晶體結構表現出壓電效應。此材料的高剪切模數和低密度，可以支撐非常高的表面聲波(SAW)頻率。SAW觸控螢幕通常包括穿越螢幕接觸區域表面所產生的聲波。這可以經由圍繞在觸控螢幕周圍而崁入之SAW發射器和接收器而達成。任何對象，例如接觸螢幕上的手指，可藉由在表面上的聲波散射而檢測。因此，對波紋圖案進行分析，並確定相對於螢幕邊緣之觸控位置。
    如上所述，各種摻雜物可以增強或控制AlN層的硬度及/或導電性。任何可用於改善AlN層之摻雜物都可被認定為本發明之範疇，包括，如硼、鎵、銦、導電金屬、及其類似物、及其組合。在一具體態樣中，AlN層摻雜一硼摻雜物。在AlN層之硼摻雜含量係為足以提供該層所需的性質。在一態樣中，摻雜於AlN層之硼摻雜物具有一由約5原子百分比至約15原子百分比之濃度。在另一態樣中，摻雜於AlN層之硼摻雜物具有一由約10原子百分比至約15原子百分比之濃度。在一非侷限本發明之例子中，硼摻雜之AlN，將AlN：B靶材濺鍍於基材以形成具有增加硬度之AlN保護層。
    此外，它可以有益於抑制水份及/或油漬聚集於AlN層之表面。在一些態樣中，AlN層可被摻雜一摻雜物以減少油漬的附著，例如，氟或氫摻雜物。在另一態樣中，類鑽碳(DLC)材料可塗佈於AlN材料以抑制AlN層的實際觸碰。因此，此材料可以抑制水份及油漬聚集在AlN表面上。DLC材料可塗佈為一微米或納米尺寸的點狀圖案，或任何其它圖案，如一格線網格。在此情況下，甲烷塗佈的DLC材料可從該層表面有效排斥水份。DLC也可以塗佈於AlN層上作為一個層。DLC通常都不易附著於玻璃上。塗佈於SiO2玻璃上之AlN可形成SiAlON，此為一種具有良好化學相容性的陶瓷。此陶瓷層進而促使DLC附著於玻璃上。
    在另一態樣中，AlN層為摻雜一鎵摻雜物。在AlN層之鎵摻雜含量係為足以提供該層所需的性質。在一態樣中，摻雜於AlN層之鎵摻雜物具有一由約5原子百分比至約90原子百分比之濃度。在另一態樣中，摻雜於AlN層之鎵摻雜物具有一由約25原子百分比至約90原子百分比之濃度。在另一態樣中，摻雜於AlN層之鎵摻雜物具有一由約5原子百分比至約50原子百分比之濃度。摻雜可以發生在形成AlN層的期間或之後。此類的摻雜技術將很容易被具有本發明所屬之通常相關習知技術者所理解。此外，AlN層的導電性程度可依據該層所需的性質及用途而變化，以任何程度的導電性都可被認為是在本發明之範圍內。然而，在一態樣中，AlN層具有一由約1.0×10-4至約3.0×10-4歐姆-厘米的電阻率。在另一態樣中，AlN層具有一由約1.0×10-4至約2.5×10-4歐姆-厘米的電阻率。又另一態樣中，AlN層具有一由約1.0×10-4至約2.0×10-4歐姆-厘米的電阻率。此外，在一些態樣中，可藉由摻雜其它的摻雜物(如，銦)以達到類似的結果。在一非侷限本發明之例子中，鎵摻雜之AlN，其AlN：Ga靶材可藉由AlGa合金而形成，並在氮氣環境下濺鍍。
    利用AlN靶材濺鍍AlN時會產生在靶材內含有過多Al原子的問題。AlN層內高度過量的Al濃度可能會抑制光透射度及增加AlN層的親水性。在含氮環境下濺鍍形成此層時，過剩的Al可以被減少或消除。氮將與Al一起併入此層，進而形成AlN。也可以將較高的氮原子百分比併入於靶材中，以減少產生AlN層的過剩Al。
    多數的基材是設想被AlN層沉積於之上，而這些基材包括光透射基材及非光透射基材。在一些態樣中，AlN層塗佈於光透射基材，具有光透射能力及接受AlN保護層沉積在其上的任何基材材料都可以被認定在本發明之範疇內。在非侷限本發明的例子中，包括玻璃材料、高分子材料、半導體材料、及其類似物、及其組合。在一態樣中，光透射基材可以為高分子材料。在一具體態樣中，高分子材料可以為聚碳酸酯。在一些態樣中，AlN層沉積於基材上作為光透射基材之替代物，具有接受AlN保護層沉積在其上的任何基材材料都可以被認定在本發明之範疇內。在非侷限本發明之例子中，包括金屬材料、陶瓷材料、半導體材料、高分子材料、及其類似物、及其組合。
    本發明所述之保護及光透射AlN層可藉由能夠以一產生具有光透射性質之一層的方式沉積AlN材料之任何技術而沉積於基材上。在一態樣中，例如，AlN材料藉由一氣相沉積方式而沉積。此類的氣相沉積法可包括化學氣相沉積(CVD)及物理氣相沉積(PVD)技術。在一具體例子中，AlN保護層可藉由PVD法沉積。在非侷限本發明之例子中，適合的方法包括氣相沉積、陰極電弧沉積、離子轟擊、射頻耦合器、電子束PVD、蒸鍍沉積、脈衝雷射沉積、濺射、磁控濺鍍、及類似方式。在一具體態樣中，PVD沉積可藉由濺鍍。濺鍍為能夠以比CVD沉積技術更低的成本而將AlN層沉積到各種基材材料。
    此外，在另一態樣中，AlN層可藉由沉積AlN材料於基材上並將該層硬化為一AlN保護層而形成。例如，在一態樣中，AlN材料可被沉積於基材上，且藉由網版印刷、噴墨印刷、噴塗、及類似方法以形成一保護層前驅物。此保護層前驅物可接著加熱以形成AlN材料之一保護層。
    依據所需保護層之結構，AlN層可沉積於基材之整個表面或僅為其一部分。此外，AlN層可具有各種厚度。在一些態樣中，只要非常薄的層就足以達到所需的結果，在其它態樣可使用相對厚的層。因此，本發明的範疇並不侷限於AlN層厚度。也就是說，在一態樣中，AlN層可具有一約100微米至約1毫米的厚度。在另一態樣中，AlN層可具有一約10微米至約100微米的厚度。又另一態樣中，AlN層可具有一約100奈米至約10微米的厚度。又更一態樣中，AlN層可具有一約10奈米至約1微米的厚度。又更一態樣中，AlN層可具有一約10奈米至約30奈米的厚度。在一些態樣中，AlN層可具有一約1奈米至約100奈米的厚度。應該說明的是，在一些情況下，厚度小於約100奈米時，可促進PVD之AlN層的透射度。
    本發明另外提供一保護裝置之光透射基材之方法。在另一態樣中，例如，此裝置可包括設置一光透射保護層於一光透射基材上，該保護層包括至少50重量百分比的AlN，且對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線具有大於或等於約80%的透射度。此外，基材對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線具有大於或等於約85%的透射度。
    下述例子為說明在根據本發明的電子設備的各種方法。但是，它是要理解，下述例子僅是本發明應用原則之示範或說明。由在本發明相關技術領域者在不違背本發明的精神和範圍的情況下，可以設計出許多修改和替代的組合物、方法和系統。在所附的申請專利範圍已涵蓋此類的修改及配置。因此，雖然前述內容已描述本發明的特殊性，以下的實施例將結合本發明的具體實施例以提供進一步的細節。 實施例1
    一種玻璃面板，塗佈一AlN層及摻雜10%取代鋁原子之硼原子。AlN層的四個邊緣係塗佈(如，濺鍍或氣相沉積)與電極連接之Al接點。兩邊緣連接至發射體及另外兩邊緣連接至接收體。由一側之發射體及另一側之接收體之相對邊緣構成接點。在施加一電壓於發射體時，產生表面聲波(SAW)移動至接收體所在之AlN層之相對一側。如果接觸點不存在時，聲波將會平行移動。但是，如果接觸點存在時，SAW將會散射。因此，接收體將可沿著AlN層外圍而檢測到SAWs在不同位置的干擾。這些干擾可藉由IC處理器的解析以確定產生接觸時接觸點的位置及尺寸、每一接觸的壓力分佈、及獨立點的移動。 實施例2
    提供一覆蓋光學讀取層之聚碳酸酯基材。AlN層經由沉積而塗佈於聚碳酸酯基材，實質上具有一小於約100奈米之均勻厚度。AlN及聚碳酸酯層提供超過90%的藍光雷射透射度。
    當然，這是可以理解的是，上述的配置僅是為了說明本發明之原則應用。許多修改和替代的配置，都可以由本發明相關技術領域者在不違背本發明的精神和範圍的情況下，可以設計出許多修改和替代的配置，在所附的申請專利範圍已涵蓋此類的修改及配置。因此，雖然前述內容已描述本發明的特殊性及結合本發明認為最具體及最佳之實施例，但在不違背此處的原則及概念下，都可以由本發明相關技術領域者呈現出許多修改，包括，不同的尺寸、物質、外形、型式、功能，及運作、組裝及使用方式，並不侷限於此。
    12‧‧‧基材
    14‧‧‧記錄層
    16,32‧‧‧光透射保護層
    18‧‧‧光線
    20‧‧‧支撐層
    34‧‧‧觸控螢幕
    圖1係本發明實施例之光儲存介質裝置之剖面側視圖。
    圖2係本發明另一實施例之光儲存介質裝置之剖面側視圖。
    圖3係本發明另一實施例之觸控螢幕之剖面側視圖。
    上述圖式僅為能更了解本發明之說明目的。此外，該些圖式並未按照比例繪製，僅供說明尺寸和幾何形狀，並可以從相關說明而變化。
    12‧‧‧基材
    14‧‧‧記錄層
    16‧‧‧光透射保護層
    18‧‧‧光線
    权利要求:
    Claims (20)
    [1] 一種具有光透射保護層之裝置，包括：一基材，其對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線具有大於或等於約90%的透射度；以及一塗佈於該基材上之光透射保護層，該保護層包括至少50重量百分比的AlN，且對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線具有大於或等於約80%的透射度。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之具有光透射保護層之裝置，其中該保護層包括至少75重量百分比的AlN。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之具有光透射保護層之裝置，其中該保護層對於具有至少一波長由約400奈米至約500奈米之光線具有大於或等於約80%的透射度。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之具有光透射保護層之裝置，其中該保護層係摻雜一硼摻雜物。
    [5] 如申請專利範圍第4項所述之具有光透射保護層之裝置，其中摻雜於該保護層之該硼摻雜物係具有一由約5原子百分比至約15原子百分比之濃度。
    [6] 如申請專利範圍第1項所述之具有光透射保護層之裝置，其中該基材係包括一成份，其係選自由玻璃材料、高分子材料、藍寶石材料、石英材料，立方氧化鋯材料、及其組合所組成之群組。
    [7] 如申請專利範圍第1項所述之具有光透射保護層之裝置，其中該基材係為一高分子材料。
    [8] 如申請專利範圍第7項所述之具有光透射保護層之裝置，其中該高分子材料係為聚碳酸酯。
    [9] 如申請專利範圍第7項所述之具有光透射保護層之裝置，其中該裝置係為一光儲存介質裝置。
    [10] 如申請專利範圍第9項所述之具有光透射保護層之裝置，其中該光儲存介質裝置係為儲存大於10GB數據的容量。
    [11] 如申請專利範圍第1項所述之具有光透射保護層之裝置，其中該保護層係具有一由約1.0×10-4至約3.0×10-4歐姆-厘米的電阻率。
    [12] 如申請專利範圍第11項所述之具有光透射保護層之裝置，其中該保護層係摻雜一摻雜物，其係選自由鎵、銦、或其組合所組成之群組。
    [13] 如申請專利範圍第12項所述之具有光透射保護層之裝置，其中摻雜於該保護層之該摻雜物係具有一由約25原子百分比至約90原子百分比之總摻雜濃度。
    [14] 如申請專利範圍第11項所述之具有光透射保護層之裝置，其中該裝置係為一觸控螢幕。
    [15] 一種保護裝置之光透射基材之方法，包括：設置一光透射保護層於一光透射基材上，該保護層包括至少50重量百分比的AlN，且對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線具有大於或等於約80%的透射度，且該基材對於具有至少一波長由約250奈米至約800奈米之光線具有大於或等於約85%的透射度。
    [16] 如申請專利範圍第15項所述之保護裝置之光透射基材之方法，其中該保護層係藉由PVD沉積法而設置。
    [17] 如申請專利範圍第15項所述之保護裝置之光透射基材之方法，其中設置該保護層更包括：藉由網版印刷方式將一保護層前驅物塗佈於基材上；以及加熱該保護層前驅物以形成該保護層。
    [18] 如申請專利範圍第15項所述之保護裝置之光透射基材之方法，更包括藉由摻雜硼以增加該保護層之硬度。
    [19] 如申請專利範圍第15項所述之保護裝置之光透射基材之方法，更包括藉由摻雜一摻雜物以增加該保護層之導電性，該摻雜物係選自由鎵、銦、或其組合所組成之群組。
    [20] 如申請專利範圍第15項所述之保護裝置之光透射基材之方法，更包括藉由摻雜銦以增加該保護層之導電性。
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    WO2013098641A3|2013-11-14|
    TWI479486B|2015-04-01|
    WO2013098641A2|2013-07-04|
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